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Intel crea una memoria 1000 veces más rápida que la memoria Flash


En la última jornada el anuncio de Intel y Micron Technologies podría tratarse de la primera y gran actualización en la historia de los chips de memoria, pues acaban de confirmar que comienzan con la producción del dispositivo 3D Xpoint, una nueva categoría de memoria no volátil que aseguran ser 1000 veces más rápida que la arquitectura NAND.

3D Xpoint

Para los que no conocen en detalle sobre esta tecnología, la explicación básica es que la arquitectura NAND es la responsable del uso de las memorias Flash en tarjetas de memoria, así como en unidades SSD; y si bien esta no consigue la misma velocidad que la arquitectura DRAM, tiene varios puntos a su favor como el menor precio y que no sea volátil.

Ahora, las palabras de Intel y Micron indican que su memoria 3D Xpoint realizará una especie de mezcla entre lo mejor de ambas, es decir que también será no volátil, con un precio asequible pero siendo 1000 veces más rápida que la NAND y 10 veces más veloz que DRAM, algo que hasta ahora muchos profesionales creían imposible de lograr.

Lógicamente el anuncio trajo solo las ventajas de 3D Xpoint, dejando así de lado todas las posibles limitaciones que seguramente debe traer consigo esta tecnología. Igualmente, las primeras creaciones ya están actualmente en producción para ciertos “clientes seleccionados” que comenzarán las pruebas sobre ellas hacia finales de año.

Los que se preguntan por el acceso a 3D Xpoint, lamentablemente deberán seguir dependiendo de las arquitectura NAND y DRAM por varios años más, pues inicialmente se enfocará su uso en centros de datos de grandes compañías, por lo que se tardará bastante tiempo para llegar a productos de consumo masivo.

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